Ni/Au透明導電薄膜在GaN基LED中的應用
王樂; 郭偉玲; 王嘉露; 楊新; 孫捷 北京工業大學光電子技術省部共建教育部重點實驗室; 北京100124; 福州大學平板顯示技術國家地方聯合工程實驗室; 福州350100
關鍵詞：歐姆接觸 比接觸電阻率 環形傳輸線法
摘要：為改善GaN基LED的p型氮化鎵(p-GaN)與透明導電層之間的接觸性能,采用磁控濺射法在p-GaN上制備了Ni/Au透明導電層。定性地分析了兩種金屬在薄膜中的作用,通過測量Ni/Au透明導電薄膜退火后的比接觸電阻率、方塊電阻和透過率來獲取最優金屬層厚度,Ni和Au的厚度分別為3 nm和5 nm。在400℃、空氣氛圍下退火1 min時,獲得了低的比接觸電阻率,薄膜方塊電阻為102Ω/,采用環形傳輸線法測量的比接觸電阻率為6.1×10-4Ω·cm2。薄膜的透過率在478 nm時達到了77.3%。使用該薄膜制備的LED,開啟電壓為2.5 V,在工作電流為20 mA時的工作電壓為2.9 V,證實了所制備的Ni/Au薄膜可用于制備LED的透明導電層。
半導體技術雜志要求:
{1}本刊將對一稿兩投者表示公開譴責，通知作者單位，并2年內拒絕該文第一作者的任何來稿。
{2}摘要(200～400字，需有簡明的研究目的、研究方法、結果、結論等，不少于200字)。中英文。
{3}作者應對稿件中的史實、錯別字、引文、標點符號等問題仔細地核對和訂正。
{4}注釋一律采用腳注。腳注用小五宋體，包括文獻作者、文獻題名、出版社及出版年或期刊的年（卷）、起止頁碼，用帶圓圈的阿拉伯數字序號標注，每頁單獨編號。
{5}參考文獻的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版的文獻。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
