F頻段三倍頻放大多功能芯片設計與實現
薛昊東; 吳洪江; 王雨桐 中國電子科技集團公司第十三研究所; 石家莊050051
關鍵詞：多功能芯片 f頻段 倍頻器 放大器
摘要：基于InP高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝,研制了一款F頻段三倍頻放大多功能芯片。將三倍頻器與驅動放大器級聯,實現了F頻段三倍頻放大的單片集成。前端三倍頻器電路由輸入匹配電路、輸入低通濾波電路、并聯二極管對、輸出高通濾波電路與輸出匹配電路構成,通過反向并聯二極管對實現三次倍頻,在優化匹配前后級電路的同時,通過輸入低通濾波器與輸出高通濾波器濾除三次諧波外的基波與各次諧波。后端所級聯的驅動放大器采用四級管芯級聯的雙電源拓撲結構來提高增益及輸出功率。測試結果表明,輸入頻率為30~47 GHz、輸入功率為15 dBm時,輸出頻率為90~141 GHz,輸出功率大于6 dBm,輸入回波損耗小于-13 dB,輸出回波損耗小于-6 dB。芯片尺寸為4.40 mm×1.60 mm×0.07 mm。
半導體技術雜志要求:
{1}本刊將對一稿兩投者表示公開譴責，通知作者單位，并2年內拒絕該文第一作者的任何來稿。
{2}摘要(200～400字，需有簡明的研究目的、研究方法、結果、結論等，不少于200字)。中英文。
{3}作者應對稿件中的史實、錯別字、引文、標點符號等問題仔細地核對和訂正。
{4}注釋一律采用腳注。腳注用小五宋體，包括文獻作者、文獻題名、出版社及出版年或期刊的年（卷）、起止頁碼，用帶圓圈的阿拉伯數字序號標注，每頁單獨編號。
{5}參考文獻的著錄格式采用順序編碼制，請按文中出現的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版的文獻。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
