階梯狀量子阱結構對藍光GaN基LED性能的改善
劉軒; 王美玉; 李毅; 朱友華 南通大學信息科學技術學院; 江蘇南通226019
關鍵詞：gan 光學特性 silvaco仿真
摘要：由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱結構存在極化效應導致能帶傾斜,極大地影響了LED的輻射復合效率。采用階梯狀量子阱的結構來改善LED的發光特性,通過金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)系統在4英寸(1英寸=2.54 cm)藍寶石襯底上外延生長了3種不同量子阱結構的樣品,并對其進行材料結構與器件性能的表征。實驗結果表明, In組分減小的階梯狀量子阱樣品相對于傳統量子阱結構,其在電致發光(EL)譜中藍移現象幾乎消失;同時在注入電流為140 mA時,其發光功率以及外量子效率分別提高3.8%和5.1%。此外,Silvaco Atlas軟件的仿真結果顯示了該樣品的量子阱中具有更高的空穴濃度與輻射復合效率。
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