關鍵詞:氧化鋅納米棒陣列 圖案化制備 太陽能電池 電化學電池
摘要:ZnO作為一種典型的直接帶隙寬禁帶半導體材料極具開發潛力和應用價值.隨著圖案化技術的不斷發展優化,ZnO納米棒陣列的精確可控制備逐步得到實現.本文綜述了利用激光限域技術制備圖案化ZnO納米棒陣列的方法,并詳述了其在太陽能電池和光電化學電池中的應用.激光干涉法制備的ZnO納米陣列比表面積大且具有直線傳輸的優勢,運用于光伏器件和電化學電池中增加了光吸收同時利于載流子傳輸,器件性能顯著提高.圖案化ZnO納米棒陣列具有可控的三維空間結構,廣泛應用關于各類能源器件中,具有極大的研究和應用價值.
北京科技大學學報·社會科學版雜志要求:
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