氧化鋁鈍化膜沉積工藝研究
許爍爍; 陳特超; 禹慶榮; 劉舟 中國電子科技集團公司第四十八研究所; 湖南長沙410111
關鍵詞：光伏裝備 沉積工藝 氧化鋁薄膜 少子壽命
摘要：采用平板式等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備,開展氧化鋁(Al2O3)薄膜沉積工藝的研究。通過在p型單晶硅片背表面沉積Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx疊層鈍化膜,研究了Al2O3薄膜沉積工藝中加熱溫度、工藝傳送速度、微波功率、三甲基鋁(TMA)流量等工藝參數對鈍化效果的影響,得到了最佳的工藝參數:加熱溫度350℃、工藝傳送速度240cm/min、微波功率521W、TMA流量600mg/min。在該工藝條件下進行Al2O3/SiNx疊層鈍化膜的沉積,測試硅片的平均少子壽命達到335.7μs。在此基礎上進行PERC電池生產,電池轉換效率達到21.876%。
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