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關鍵詞：石英納米孔道 電化學限域 單顆粒尺寸分布分析 

摘要：發展了一種基于石英納米孔道的單顆粒電化學動態分析方法,用于單個CdSe/ZnS量子點納米顆粒的尺寸分布分析.其機制是向石英納米孔道兩端施加電壓,表面帶有正電荷的單個CdSe/ZnS量子點納米顆粒在電場力驅動下由管內向管外運動,當量子點納米顆粒穿過納米孔道尖端狹小的限域空間時,其表面正電荷使石英納米孔道內電荷密度增加,孔道內的電化學限域效應進一步將電荷密度增加的信息放大并轉變為可讀的離子流增強信號.通過對動態離子流信號解析可實時獲取具有2種不同尺寸的量子點納米顆粒所導致的2類過孔事件信息,從而對在限域空間內運動的納米顆粒進行尺寸分布分析.

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