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關鍵詞：gan高電子遷移率晶體管 g波段 電子束直寫 功率放大器 

摘要：報道了基于50nm柵工藝的AlN/GaN異質結的G波段器件結果。在AlN/GaNHEMT外延結構上,采用電子束直寫工藝制備了柵長50nm的"T"型柵結構。器件直流測試最大漏電流為2.1A/mm,最大跨導為700mS/mm;小信號測試外推其電流增益截止頻率和最大振蕩頻率分別為180GHz及350GHz。采用該工藝制備的共面波導(CPW)結構的放大器工作電壓6V,在162GHz小信號增益大于10dB。166GHz連續波峰值輸出功率11.36dBm,功率密度達到684mW/mm,功率密度水平達到GaN器件在G頻段的高水平。

固體電子學研究與進展雜志要求:

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