28nm工藝基于T_Coil結構的帶ESD防護器件的高速IO設計
張博翰; 陳建軍; 梁斌; 羅園; 黃俊; 朱小娜 國防科技大學計算機學院; 長沙410000
關鍵詞：28nm工藝 高速io設計 esd
摘要：高速串行接口芯片是通信領域的核心芯片,也是云計算的核心互聯芯片,高速串行接口芯片的IO在實現高速率的同時如何保證其軍品ESD指標是關鍵難點之一。傳統的設計方法,在保證ESD防護能力的前提下,高速IO設計往往無法達到預期的帶寬。針對傳統設計方法存在的缺點,采用基于T_Coil結構的帶ESD防護器件的高速IO電路結構。然后,完成28nm工藝下基于T_Coil結構的帶ESD防護器件的高速IO設計,采用反向二極管技術設計ESD防護器件,使用CadenceVirtuoso軟件完成其電路設計和版圖設計。最后,基于仿真工具給出了功能性能仿真結果和帶寄生參數的仿真結果,并與傳統技術進行對比,設計實現了16Gbps的速率。
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