坩堝下降法生長紅外砷化鎵晶體的研究
金敏; 徐家躍; 范世驥; 中慧; 何慶波; 談慧祖 中國科學院寧波材料技術與工程研究所; 浙江寧波315201; 上海應用技術大學材料科學與工程學院; 上海201418; 昆山鼎晶鎵業晶體材料有限公司; 江蘇昆山215300
關鍵詞：坩堝下降法 紅外 砷化鎵晶體 透過率
摘要：利用坩堝下降法生長紅外砷化鎵晶體，坩堝下降爐控溫1260℃，晶體以2．5mm／h速度在溫度梯度為10℃／cm的條件下結晶生長．PBN坩堝外壁黏附有氣相自發成核、尺寸為1～3mm的砷化鎵單晶顆粒．生長的砷化鎵晶體直徑約50．8mm，總長約140mm．晶體頭部放肩階段存在異相成核，尾部出現多晶．截斷后獲得的砷化鎵單晶長約100mm，成晶率達70％．砷化鎵單晶結晶質量良好，頭尾平均位錯密度分別為868cm-2和1436cm-2，電阻率達10^7Ω·cm量級．砷化鎵單晶整體紅外透過率約為55％，接近最高理論透過率55．8％．滿足工業界使用要求．
上海應用技術學院學報雜志要求:
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