損傷恢復機制對3D NAND閃存保持特性的影響
艾迪; 靳磊; 鄒興奇; 張瑜; 李春龍; 霍宗亮 中國科學院大學; 北京100049; 中國科學院微電子研究所; 北京100029; 長江存儲科技有限責任公司; 武漢430205
關鍵詞：3d nand閃存 保持特性 耐久性 損傷恢復
摘要：在3D NAND閃存的分布式編程擦除循環實驗中發現,存儲單元的保持特性隨著編程擦除循環周期間隔的增加而改善。對實驗數據的分析表明,編程擦除循環周期間隔中發生了損傷恢復,且在損傷恢復的兩個機制中,氧化層電荷逸出對保持特性的改善起主要作用,而非界面陷阱修復。這說明,氧化層電荷逸出對于3D NAND閃存的保持特性有著重要影響。此外還發現,由于連續的電荷存儲層所導致的電荷橫向散布,損傷恢復對3D NAND閃存保持特性的影響與存儲單元的編程模式有關。綜上,損傷恢復機制是影響3D NAND閃存保持特性的一個重要因素,需要在產品的可靠性表征中予以考慮。
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