稀土摻雜GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的研究進(jìn)展
關(guān)鍵詞：gan基稀磁半導(dǎo)體 稀土摻雜 自旋電子器件 鐵磁性 磁性機(jī)理
摘要：GaN基稀磁半導(dǎo)體材料具有高于室溫的鐵磁性和優(yōu)異的光電性能,在半導(dǎo)體電子自旋器件領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。系統(tǒng)地介紹了制備方法對稀土Gd摻雜GaN基稀磁半導(dǎo)體材料鐵磁性的影響,討論了Gd摻雜GaN基稀磁半導(dǎo)體材料中鐵磁性的起源,介紹了除Gd以外的稀土離子摻雜GaN基稀磁半導(dǎo)體材料中的鐵磁性,以及共摻雜對GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的鐵磁性能的影響。目前,GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的鐵磁性仍無法滿足半導(dǎo)體電子自旋器件的要求。共摻雜工藝可以有效地解決稀土離子摻雜引入的較大晶格應(yīng)變,促進(jìn)自旋電子之間的交互作用,是一種改善GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的鐵磁性能的有效途徑。
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