NHEJ通路相關基因在電離輻射所致腦損傷中的表達情況研究
關鍵詞：電離輻射 xrcc4基因 xrcc5基因 xrcc6基因 dna雙鏈斷裂修復
摘要：目的通過對大鼠頭部進行不同劑量的照射,研究NHEJ通路相關基因在電離輻射所致腦損傷中的表達情況。方法利用醫用電子加速器裝置對SD大鼠分別進行10 Gy、20 Gy、30 Gy的照射,并于照后30天提取動物海馬組織中的總RNA;30 Gy照射組在照后6 h、24 h、72 h、7天、30天五個不同時間點提取動物海馬組織中的總RNA。使用實時熒光定量PCR技術對NHEJ通路中的XRCC4、XRCC5和XRCC6基因的表達情況進行研究。結果經照射大鼠海馬組織中與DNA修復相關的基因XRCC4、XRCC5和XRCC6表達均有所上調;20 Gy組XRCC4、XRCC5和XRCC6基因的表達量較10 Gy和30 Gy組高;XRCC4基因在照后7天表達量達到最高,而XRCC5和XRCC6基因在照后6 h達到最高,XRCC4、XRCC5和XRCC6基因表達量均在照后30天達到最低。結論通過本項目研究發現NHEJ通路中與DNA損傷修復有關基因XRCC4、XRCC5、XRCC6在電離輻射所致腦損傷照射不同劑量點及照后不同時間點均上調表達,說明在10、20、30 Gy照射和電離輻射后6 h、24 h、72 h、7天、30天五個不同時間點機體均通過NHEJ通路進行DNA雙鏈修復,且在照后6h和第7天修復能力最強。
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